晶片

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快速恢復二極體晶片

宏微的快速恢復二極體晶片具有多種出色的特性,例如低開關損耗、更快的逆回復時間和低正向電壓值的傳導損耗等。此外,它還有軟恢復開關的特性,能顯著改善電路設計中的電磁干擾。目前,我們提供電壓範圍1700V~200V和電流範圍200A~6A的晶片以供顧客做選擇。在應用上,快速恢復二極體晶片可以包裝為分離器件或功率模組的產品形式,適合用於緩衝和輸出整流的應用。

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分離器件

快速恢復二極體分離器件

快速恢復二極體分離器件

宏微主要提供下列的封裝: TO-220(F)、TO-3P和TO-247,這些封裝的特性承接宏微的快速恢復二極體晶片的所有功能,且在價格上具備相當的競爭力,為客戶提供一個優良的選擇。在應用方面,電壓範圍200V和400V的快速恢復二極體分離器件通常用於輸出整流,而電壓範圍600V和1200V的類型適用於高速整流。

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IGBT分離器件

IGBT分離器件

宏微TO-247封裝的IGBT分離器件,採用自行開發的低Vce Trench IGBT晶片製作而成,目前提供電壓範圍650V和1200V的IGBT分離器件。根據切換速度分成兩類,第一類為G3T系列, G3T系列為典型的電源應用,例如馬達驅動器、電源轉換和開關頻率小於15 Khz的電路應用。而另一系列為G3U,G3U系列具有高速開關功能,非常適合用於焊接機、感應加熱和開關頻率大於15 Khz的應用。

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模組

快速恢復二極體模組

快速恢復二極體模組

宏微快速恢復二極體模組是完全由宏微的快速恢復二極體晶片製成,具有快速和軟恢復的特性,可被應用在功率因數校正和斬波器等高速開關的應用中,它還具備低正向電壓和低傳導損耗的特性,相當適合用於輸出整流電路。根據目前的市場需求,我們供應低成本的非隔離式和全隔離式封裝,並提供各種內部電路配置,例如目前的配置包含單單元、半橋、共陰極和共陽極,讓設計人員能有更彈性的選擇。

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IGBT模組

IGBT模組

宏微和其他世界級廠牌合作開發先進的技術,同時我們也在開發我們的自己的IGBT晶片,並應用在宏微的IGBT模組當中。目前,所有宏微IGBT的模組均採用最新的Trench Field-Stop晶片技術,具備優良低開關損耗和傳導特性。宏微的IGBT模組也有多種不同的系列,例如HN系列,用約2.0V的Vce(sat)切換,可實現高達50Khz的設計;而高速系列的IGBT非常適合高頻的應用。此外,我們的6TC系列是針對電機驅動器和電源轉換應用,其餘還有電動汽車和高效3Level的系列,可滿足客戶的不同需求。


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MOSFET模組

MOSFET模組

宏微MOSFET模組具備多種優勢,例如MOSFET模組配置的優點,可以輕鬆的達到高電源系統的設計,而且不須並聯多個MOSFET離散器件,所以具備高生產良率和高穩定性的特質。宏微MOSFET模組還有一些特殊的特性,像是它的低通態電阻可以做為大功率同步整流器運作,使其在大功率的條件下,讓設備有更高的運作效率。在應用上,MOSFET Module的6件裝和半橋電路配置較適合用在2KW~15KW電池驅動器的逆變器電路。


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晶閘管模組

晶閘管模組

宏微晶閘管模組採用極低的漏電流和高可靠性的晶閘管晶片,並通過焊接製造而成,有高穩定性、壽命長的特性,再加上產品的價格優勢,因而變成客戶的熱門選擇之一。雖然晶閘管在市場上是相對成熟的產品,但和市場上其他產品相比起來,宏微晶閘管模組提供更多種不同的規格的選擇。在應用方面,宏微晶閘管模組經常被用於交流電源控制、接頭、整流、靜態開關和軟啟動器等。

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整流二極體模組

整流二極體模組

宏微提供單相的整流二極體模組,該模組的阻斷電壓超過1600V,可用於更高額定值的要求。整流二極體模組還具備堅固的特性,使其能在嚴峻的交流電源輸入條件下,運作得更加可靠。此外,整流二極管模組與我們其他模組的產品線一樣,跟行業通用的配置規格完全兼容,且具有價格和高品質的優點,為客戶的優質選擇。

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三相整流橋模組

三相整流橋模組

宏微還提供三相交流電源應用的整流二極體模組,該模組的特性與單相整流二極體模組相似,具備堅固的特性,能在交流電下穩定的作用。此外,模組的阻斷電壓也超過1600V可滿足更高電壓範圍的要求。

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