最新消息

宏微科技 ”HN” 系列1200V IGBT模組採用最新一代英飛凌高速型IGBT晶片，是少數市場上僅有的高速型IGBT模組，經由適當的封裝設計，該產品系列模組提供給客戶50A~800A不等的多款規格選擇，採用本系列模組的客戶，皆證實該模組能有效的增加終端設備的整體效率。 做為新興的電力電子半導體領導廠家，宏微科技發現市面上僅有極少數可供選擇的高速型IGBT大功率模組，絕大多數皆為10年前或甚至更早發表之產品，主要原因為頻率需要操作在20~200Khz的大功率應用設備並不甚普遍，IGBT模組廠商在此一領域相對較無計劃推出新產品方案。有鑑於此，宏微科技決定使用英飛凌 ”HS3”高速型IGBT晶片，進一步設計成大功率模組產品。 相較於市面上傳統的高速型IGBT模組，宏微科技1200V ”HN” 系列IGBT模組有以下幾項特點：

• 晶片為最新溝槽式場截止型 (Trench-Field-Stop) 結構設計，Tj可高達175°C
• 更低的Vce壓降，有效降低30%以上的導通損耗 (Conduction Loss)
• 支持20~200Khz的大功率高頻開關應用，同時保有極小的EMI雜訊干擾
• 更高的功率密度，幫助客戶完成更小體積的產品設計
• 市面上總損耗最低的高速型大功率IGBT模組

耀迅國際科技業務副總兼宏微國際業務辦公室負責人馮耀賢表示：「”HN” 系列高速型IGBT模組為行業上唯一使用溝槽式場截止型晶片的模組產品，該型晶片過去只封裝成IGBT單管 (Discrete) 型，很多客戶只能採用多個單管並聯方式，來達到大功率的電路設計，徒增繁瑣組裝及減低可靠度的困擾，宏微的高速型IGBT模組有效的幫助客戶簡化設計，同時增加客戶產品的運轉效率。」 常見的大功率高頻應用包括：高週波感應加熱裝置、逆變式電銲機、新能源逆變器、高頻UPS，及高性能汽車充電樁等，配合這些應用，常用的 ”HN” 系列1200V IGBT模組規格有50A、100A、150A、200A、300A、400A半橋線路模組，以及300A、400A、800A一單元模組。 更多 ”HN” 系列1200V IGBT模組產品訊息與業務需求，歡迎參觀我們的官方網站：http://www.effintech.com或與我們業務團隊聯絡 –info@effintech.com。我們團隊可隨時為您提供最新的產品訊息及相關動態。

---

關於宏微科技有限公司：
宏微科技是由一批長期在國內外從事電力電子產品研發和生產，具有多種專項技術的科技專家，所組成的專業團隊，企業宗旨為全球用戶提供綠色高效節能電子產品，並提供電力電子系統的解決方案。目前產品已被廣泛應用於國際各項高功率電力電子產業。

關於耀迅國際科技有限公司：
耀迅國際為一專業半導體元件供應商及顧問團隊，專為國際市場及台灣的客戶服務，提供高品質、高效能的功率半導體產品。耀迅國際亦為半導體產業的客戶提供諮詢服務，專精的領域包括：電力轉換、馬達控制及驅動、光源設備以及可再生能源應用等相關解決方案。目前耀迅國際接受宏微科技策略投資，成立宏微國際業務辦公室，將為宏微科技國際客戶提供最適切的服務。