晶片
快速恢復二極體晶片
宏微的快速恢復二極體晶片具有多種出色的特性，例如低開關損耗、更快的逆回復時間和低正向電壓值的傳導損耗等。此外，它還有軟恢復開關的特性，能顯著改善電路設計中的電磁干擾。目前，我們提供電壓範圍1700V~200V和電流範圍200A~6A的晶片以供顧客做選擇。在應用上，快速恢復二極體晶片可以包裝為分離器件或功率模組的產品形式，適合用於緩衝和輸出整流的應用。
分離器件
快速恢復二極體分離器件
宏微主要提供下列的封裝: TO-220（F）、TO-3P和TO-247，這些封裝的特性承接宏微的快速恢復二極體晶片的所有功能，且在價格上具備相當的競爭力，為客戶提供一個優良的選擇。在應用方面，電壓範圍200V和400V的快速恢復二極體分離器件通常用於輸出整流，而電壓範圍600V和1200V的類型適用於高速整流。
IGBT分離器件
宏微TO-247封裝的IGBT分離器件，採用自行開發的低Vce Trench IGBT晶片製作而成，目前提供電壓範圍650V和1200V的IGBT分離器件。根據切換速度分成兩類，第一類為G3T系列， G3T系列為典型的電源應用，例如馬達驅動器、電源轉換和開關頻率小於15 Khz的電路應用。而另一系列為G3U，G3U系列具有高速開關功能，非常適合用於焊接機、感應加熱和開關頻率大於15 Khz的應用。
模組
快速恢復二極體模組
宏微快速恢復二極體模組是完全由宏微的快速恢復二極體晶片製成，具有快速和軟恢復的特性，可被應用在功率因數校正和斬波器等高速開關的應用中，它還具備低正向電壓和低傳導損耗的特性，相當適合用於輸出整流電路。根據目前的市場需求，我們供應低成本的非隔離式和全隔離式封裝，並提供各種內部電路配置，例如目前的配置包含單單元、半橋、共陰極和共陽極，讓設計人員能有更彈性的選擇。
IGBT模組
宏微和其他世界級廠牌合作開發先進的技術，同時我們也在開發我們的自己的IGBT晶片，並應用在宏微的IGBT模組當中。目前，所有宏微IGBT的模組均採用最新的Trench Field-Stop晶片技術，具備優良低開關損耗和傳導特性。宏微的IGBT模組也有多種不同的系列，例如HN系列，用約2.0V的Vce（sat）切換，可實現高達50Khz的設計；而高速系列的IGBT非常適合高頻的應用。此外，我們的6TC系列是針對電機驅動器和電源轉換應用，其餘還有電動汽車和高效3Level的系列，可滿足客戶的不同需求。
MOSFET模組
宏微MOSFET模組具備多種優勢，例如MOSFET模組配置的優點，可以輕鬆的達到高電源系統的設計，而且不須並聯多個MOSFET離散器件，所以具備高生產良率和高穩定性的特質。宏微MOSFET模組還有一些特殊的特性，像是它的低通態電阻可以做為大功率同步整流器運作，使其在大功率的條件下，讓設備有更高的運作效率。在應用上，MOSFET Module的6件裝和半橋電路配置較適合用在2KW~15KW電池驅動器的逆變器電路。
晶閘管模組
宏微晶閘管模組採用極低的漏電流和高可靠性的晶閘管晶片，並通過焊接製造而成，有高穩定性、壽命長的特性，再加上產品的價格優勢，因而變成客戶的熱門選擇之一。雖然晶閘管在市場上是相對成熟的產品，但和市場上其他產品相比起來，宏微晶閘管模組提供更多種不同的規格的選擇。在應用方面，宏微晶閘管模組經常被用於交流電源控制、接頭、整流、靜態開關和軟啟動器等。
整流二極體模組
宏微提供單相的整流二極體模組，該模組的阻斷電壓超過1600V，可用於更高額定值的要求。整流二極體模組還具備堅固的特性，使其能在嚴峻的交流電源輸入條件下，運作得更加可靠。此外，整流二極管模組與我們其他模組的產品線一樣，跟行業通用的配置規格完全兼容，且具有價格和高品質的優點，為客戶的優質選擇。
三相整流橋模組
宏微還提供三相交流電源應用的整流二極體模組，該模組的特性與單相整流二極體模組相似，具備堅固的特性，能在交流電下穩定的作用。此外，模組的阻斷電壓也超過1600V可滿足更高電壓範圍的要求。